參數(shù)資料
型號： IRFP90N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： CAP,TANT,100UF,10V,LOW ESR,D PKG
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.023ohm，身份證\u003d 94A章）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： IRFP90N20D
IRFP90N20D
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25
°
C
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
VGS
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175
°
C
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
VGS
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.00
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
94A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP9140N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRFP9240 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-12A)
IRFP9240 12A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFPC30 10 UF CAP 35V TANT CASE C
IRFPC40 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
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參數(shù)描述
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IRFP90N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP9130 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9131 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
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