參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP90N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： CAP,TANT,100UF,10V,LOW ESR,D PKG
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.023ohm，身份證\u003d 94A章）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： IRFP90N20D
IRFP90N20D
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
100000
1000000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
40
80
120
160
200
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
56A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
10000
Tc = 25
°
C
Tj = 175
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP9140N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRFP9240 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-12A)
IRFP9240 12A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFPC30 10 UF CAP 35V TANT CASE C
IRFPC40 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP90N20DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP90N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP9130 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9131 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
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