參數(shù)資料
型號： IRFP450A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為0.4Ω，漏電流為14A）)
中文描述： 14 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： IRFP450A
IRFP450A
BV
DSS
= 500 V
R
DS(on)
= 0.4
I
D
= 14 A
500
14
8.8
56
±
30
1089
14
20.5
3.5
205
1.64
- 55 to +150
300
0.61
--
40
--
0.24
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 500V
Lower R
DS(ON)
: 0.308
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-3P
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP450B 500V N-Channel MOSFET
IRFP450 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為0.4Ω，漏電流為14A）)
IRFP460 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為0.25Ω，漏電流為22A）)
IRFR014 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為60V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為8.2A）)
IRFR310 N-Channel Power MOSFET（1.7A，400V，3.6Ω）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏電流1.7A, 漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻3.6Ω）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP450A_R4944 功能描述:MOSFET TO-3P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450B 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450-EPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
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