參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP460
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為0.25Ω，漏電流為22A）)
中文描述： 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： IRFP460
IRFP460
BV
DSS
= 500 V
R
DS(on)
= 0.25
I
D
= 22 A
500
22
13.4
88
±
30
2151
22
27.8
3.5
278
2.22
- 55 to +150
300
0.45
--
40
--
0.24
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 500V
Lower R
DS(ON)
: 0.197
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-3P
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR014 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓為60V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為8.2A）)
IRFR310 N-Channel Power MOSFET（1.7A，400V，3.6Ω）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.7A, 漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻3.6Ω）)
IRFR9024 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-8.8A，-60V，0.28Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-8.8A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻0.28Ω）)
IRFS240B 200V N-Channel MOSFET
IRFS244B 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP460_R4943 功能描述:MOSFET TO-247 N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP460A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP460A_R4944 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP460APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP460APBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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