參數(shù)資料
型號： IRF8010S
英文描述： 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package
中文描述： 100V的單N溝道HEXFET功率MOSFET采用D2PAK封裝
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 224K
代理商： IRF8010S
IRF8010S/IRF8010L
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
T , Case Temperature
(°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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