參數(shù)資料
型號： IRF820ASTRR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 2.5AI（四）|對263AB
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 168K
代理商： IRF820ASTRR
www.irf.com
1
5/8/00
IRF820AS
IRF820AL
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective C
OSS
specified (See AN 1001)
Applications
V
DSS
500V
R
DS
(on) max
3.0
I
D
2.5A
Typical SMPS Topologies:
l
Two Transistor Forward
l
Half Bridge and Full Bridge
Parameter
Max.
2.5
1.6
10
50
0.4
± 30
3.4
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
PD- 93774A
Notes
through
are on page 8
D
2
Pak
IRF820AS
TO-262
IRF820AL
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF820FI (169.47 k)
IRF821FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF82 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF822 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF822FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF820B 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF820B_F080 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF820B_NBEA008 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRF820FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:(169.47 k)
IRF820L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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