參數(shù)資料
型號(hào): IRF820ASTRR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 2.5AI(四)|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
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代理商: IRF820ASTRR
IRF820AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
1.1A
1.6A
2.5A
TOP
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IAV , Avalanche Current ( A)
550
600
650
700
VD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF820FI (169.47 k)
IRF821FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF82 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF822 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF822FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
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參數(shù)描述
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IRF820B_F080 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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