參數(shù)資料
型號(hào)： IRF8010L
英文描述： 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
中文描述： 100V的單N溝道HEXFET功率MOSFET的采用TO - 262封裝
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 224K
代理商： IRF8010L
IRF8010S/IRF8010L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
80A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I
4.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
TOP
BOTTOM
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 50V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF8010S 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package
IRF820ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB
IRF820ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB
IRF820FI (169.47 k)
IRF821FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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IRF8010S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
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IRF8010STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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