參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6618
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 230K
代理商： IRF6618
8
www.irf.com
DirectFET
(Medium Size Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Outline Dimension, MT Outline
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
MIN
6.25
4.80
3.85
0.35
0.78
0.88
1.78
0.98
0.63
O.88
2.46
0.59
0.03
0.11
MAX
6.35
5.05
3.95
0.45
0.82
0.92
1.82
1.02
0.67
1.01
2.63
0.70
0.08
0.14
MIN
0.246
0.189
0.152
0.014
0.031
0.035
0.070
0.039
0.025
0.035
0.097
0.023
0.001
0.004
MAX
0.250
0.199
0.156
0.018
0.032
0.036
0.072
0.040
0.026
0.039
0.104
0.028
0.003
0.006
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
NOTE: CONTROLLING
DIMENSIONS ARE IN MM
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PDF描述
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IRF6618TR1PBF 功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6618TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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