參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6618
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 230K
代理商： IRF6618
6
www.irf.com
Fig 13c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Fig 13b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 12.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
EA
ID
TOP
11A
14A
BOTTOM
25A
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
2
4
6
8
10
RD
)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ID = 31A
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PDF描述
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