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參數(shù)資料
| 型號： | IRF640N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.15ohm，身份證\u003d 18A條） |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | IRF640N |
www.irf.com
2
IRF640N/S/L
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
167
929
1.3
251
1394
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
18
72
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
200
–––
–––
0.25
–––
–––
2.0
–––
6.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
–––
19
–––
23
–––
5.5
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 11A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 11A
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 11A
V
DS
= 160V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 100V
I
D
= 11A
R
G
= 2.5
R
D
= 9.0
, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.15
4.0
–––
25
250
100
-100
67
11
33
–––
–––
–––
–––
V
V/°C
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1160
185
53
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.0
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
°C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF640NL | RES 5.62-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
| IRF640NS | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) |
| IRF6610 | HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM |
| IRF6618TR1 | Power MOSFET |
| IRF6618 | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF640N_04 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF640N_R4942 | 功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF640NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN TO-220AB - Bulk |
| IRF640NL | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF640NLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
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