參數(shù)資料
型號： IRF3808STRR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 106A章一（d）|對263AB
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： IRF3808STRR
IRF3808S/IRF3808L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature (
°
C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
0
160
320
480
640
800
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
34A
58A
82A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3808L Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A)
IRF4435 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
IRF448 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA
IRF520CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP
IRF520NL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-262
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3808STRRPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3910 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF3N25 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF400 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED
IRF4000 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
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