參數(shù)資料
型號： IRF2805
英文描述： 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
中文描述： 55V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： IRF2805
6
www.irf.com
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
43A
87A
104A
TOP
BOTTOM
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
相關PDF資料
PDF描述
IRF2807STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB
IRF2807STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB
IRF3007L 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
IRF3007S 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRF3205STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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