參數(shù)資料
型號(hào)： IRF2805
英文描述： 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
中文描述： 55V的單個(gè)N -溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： IRF2805
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
0
40
80
120
160
200
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
40
80
120
160
200
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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