參數(shù)資料
型號(hào)： IRF2805
英文描述： 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
中文描述： 55V的單個(gè)N -溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 151K
代理商： IRF2805
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
30
60
90
120
150
180
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60
-40
-20
T , Junction Temperature
0
20
40
60
80
100
120
( C)
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
175A
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PDF描述
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