參數(shù)資料
型號： IPI08CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 472K
代理商： IPI08CNE8NG
IPB08CNE8N G
IPI08CNE8N G IPP08CNE8N G
Rev. 1.01
page 9
2006-02-17
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB09N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB100N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI08CNE8NGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI09N03LA 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI09N03LAXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI100N04S303 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI100N04S3-03 功能描述:MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 100A 2.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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