參數(shù)資料
型號： IPB100N04S2-04
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 163K
代理商： IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04
IPP100N04S2-04
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
100
A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
100
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
I
D
=80A
810
mJ
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... +175
°C
Value
V
DS
40
V
R
DS(on),max
(SMD version)
3.3
m
I
D
100
A
Product Summary
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB100N04S2-04
PG-TO263-3-2
SP0002-19061
PN0404
IPP100N04S2-04
PG-TO220-3-1
SP0002-19056
PN0404
PG-TO220-3-1
PG-TO263-3-2
Rev. 1.0
page 1
2006-03-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB100N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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