參數(shù)資料
型號： IPB25N06S3L-22
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： IPB25N06S3L-22
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= f(
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 4 V
R
DS(on)
= f(
T
j
);
I
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V
parameter:
T
j
10
15
20
25
30
35
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
8V
10V
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
10
20
30
40
50
I
D
[A]
R
D
]
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
V
DS
[V]
I
D
-55 °C
25 °C
175 °C
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 5
2005-09-16
相關PDF資料
PDF描述
IPI25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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