參數(shù)資料
型號： IPB25N06S3L-22
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： IPB25N06S3L-22
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22
Opti
MOS
-T
Power-Transistor
Features
N-channel - Logic Level - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
ESD Class 1C (HBM)
EIA/JESD22-A114-B
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
25
A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
25
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
100
Avalanche energy, single pulse
3)
E
AS
I
D
=12 A
60
mJ
Drain gate voltage
2)
V
DG
55
V
Gate source voltage
4)
V
GS
±16
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
50
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
55
V
R
DS(on),max
(SMD version)
21.3
m
I
D
25
A
Product Summary
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
PG-TO263-3-2
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB25N06S3L-22
PG-TO263-3-2
SP0000-87994
3N06L22
IPI25N06S3L-22
PG-TO262-3-1
SP0000-87996
3N06L22
IPP25N06S3L-22
PG-TO220-3-1
SP0000-87993
3N06L22
Rev. 1.0
page 1
2005-09-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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