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參數(shù)資料
| 型號： | IPB25N06S3L-22 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| 中文描述： | ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 165K |
| 代理商： | IPB25N06S3L-22 |
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
= f(
T
C
);
V
GS
≥
4 V
I
D
= f(
T
C
);
V
GS
≥
4 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
= f(
V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
Z
thJC
= f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
10 μs
100 μs
1 ms
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.1
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
Z
t
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
10
20
30
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2005-09-16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI25N06S3L-22 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD25CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPB25N06S3L-22_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
| IPB25N06S3L22XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB260N06N3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB260N06N3G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB260N06N3GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 |
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