參數(shù)資料
型號(hào)： IPB16CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 568K
代理商： IPB16CNE8NG
IPB16CNE8N G IPD16CNE8N G
IPI16CNE8N G IPP16CNE8N G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=53 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
61 μA
610 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
10
1
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98%
175 °C, 98%
10
3
10
2
10
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.01
page 6
2006-02-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPB180N03S4L01ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
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