參數(shù)資料
型號： IPB16CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 568K
代理商： IPB16CNE8NG
IPB16CNE8N G IPD16CNE8N G
IPI16CNE8N G IPP16CNE8N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
10 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
20
40
60
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
V
GS
[V]
I
D
0
20
40
60
80
0
20
40
60
I
D
[A]
g
f
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.01
page 5
2006-02-16
相關PDF資料
PDF描述
IPD16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
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參數(shù)描述
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