參數(shù)資料
型號： IPB16CNE8NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 568K
代理商： IPB16CNE8NG
IPB16CNE8N G IPD16CNE8N G
IPI16CNE8N G IPP16CNE8N G
Rev. 1.01
page 10
2006-02-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3-25 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB25N06S3L-22 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
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參數(shù)描述
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IPB17N25S3-100 功能描述:MOSFET Infineon MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB17N25S3100ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel
IPB180N03S4L-01 功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB180N03S4L01ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
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