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參數(shù)資料
| 型號： | IMC020FLSP |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 20 MegaBaytes Series 2+ Flash Memory Card(20M字節(jié)閃速存儲器卡) |
| 中文描述： | 10M X 16 FLASH 12V PROM CARD, 250 ns, XMA68 |
| 文件頁數(shù)： | 36/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 575K |
| 代理商： | IMC020FLSP |
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SERIES 2+ FLASH MEMORY CARDS
E
36
ADDRESSES (A)
WE# (W)
OE# (G)
CE# (E)
DATA (D/Q)
RP#
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
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IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
Valid
SRD
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EHRL
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High Z
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V
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V (V)
1
2
3
4
6
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V
V
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EHQV1,2
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PHEL
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RDY/BSY# (R)
IL
V
IH
V
OH
V
OL
V
0491_05
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
V
CC
Power-Up and Standby
Write Data Write or Erase Setup Command
Write Valid Address and Data (Data Write) or Erase Confirm Command
Automated Data Write or Erase Delay
Read Status Register Data
Write Read Array Command
Figure 7. Alternate AC Waveform for Write Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMC008FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
| IMC016FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
| IMC024FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
| IMC064FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
| IMC032FLSG | 5 V Series 200 Flash Memory Card(5V系列200閃速存儲器插卡) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IMC02CGR | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:IM Series Signal Relays |
| IMC02GR | 功能描述:高頻/射頻繼電器 IM Relay 140 mW 4.5 V 1CO RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點(diǎn)電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz |
| IMC02TS | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:IM Series Signal Relays |
| IMC03CGR | 功能描述:高頻/射頻繼電器 RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點(diǎn)電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz |
| IMC03CTS | 功能描述:高頻/射頻繼電器 Relays RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點(diǎn)電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz |
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