參數(shù)資料
型號： IGD01N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 390K
代理商： IGD01N120H2
IGP01N120H2,
IGD01N120H2
IGB01N120H2
Power Semiconductors
8
Rev. 2, Mar-04
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
V
G
,
G
-
E
0nC
5nC
10nC
15nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=240V
U
CE
=960V
t
p
,
PULSE WIDTH
Q
GE
,
GATE CHARGE
Figure 17. IGBT transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
Figure 18. Typical gate charge
(
I
C
= 1A)
C
,
C
0V
10V
20V
30V
10pF
100pF
C
rss
C
oss
C
iss
V
C
,
C
-
E
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0V
200V
400V
600V
800V
1000V
0.0A
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
I
C
C
C
U
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 19. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(
V
GE
= 0V,
f
= 1MHz)
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 20. Typical turn off behavior, hard
switching
(V
GE
=15/0V,
R
G
=220
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
R
,(K/W )
2.5069
1.1603
0.8327
τ
,
(s)
0.00066
0.00021
0.00426
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGP01N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGB15N60T Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGB50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGP50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGW50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
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參數(shù)描述
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