參數(shù)資料
型號(hào)： IGD01N120H2
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 390K
代理商： IGD01N120H2
IGP01N120H2,
IGD01N120H2
IGB01N120H2
Power Semiconductors
4
Rev. 2, Mar-04
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
1A
2A
3A
4A
5A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
,01A
0,1A
1A
10A
200
μ
s
DC
50
μ
s
5
μ
s
2
μ
s
20
μ
s
t
p
=1
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 241
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0W
5W
10W
15W
20W
25W
30W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0A
1A
2A
3A
4A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGP01N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGB15N60T Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGB50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGP50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
IGW50N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
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參數(shù)描述
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