參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3579YSA75PFGI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
元件分類(lèi)： 通用總線功能
英文描述： 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K的米鼠36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的流量，通過(guò)輸出脈沖計(jì)數(shù)器，單周期取消
文件頁(yè)數(shù)： 6/22頁(yè)
文件大?。?/td> 521K
代理商： IDT71V3579YSA75PFGI
6.42
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 256K x 18
100 TQFP
Top View
NOTES:
1. Pin 14 does not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL
.
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90
87 86 85 84 83 82 81
89 88
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
A
6
A
7
C
C
0
N
N
B
2
B
1
C
1
V
D
V
S
C
G
B
O
A
A
A
A
8
A
9
NC
V
SS
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
1
N
N
L
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
V
D
V
S
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
NC
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
I/O
P2
I/O
15
I/O
14
V
SS
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
V
DD
I/O
11
V
SS
(1)
I/O
10
V
DDQ
V
SS
I/O
9
I/O
8
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
A
10
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
I/O
P1
I/O
7
I/O
6
V
SS
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
V
SS
NC
V
DD
ZZ
(2)
I/O
3
I/O
2
V
DDQ
V
SS
I/O
1
I/O
0
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
A
1
5280 drw 02b
,
N
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V416S10BEG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10BEGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10PHG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10PHGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416L 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
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參數(shù)描述
IDT71V416L10BE 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT71V416L10BE8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
IDT71V416L10BEG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V416L10BEG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT71V416L10BEGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
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