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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3579YSA75PFGI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K的米鼠36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的流量，通過輸出脈沖計數(shù)器，單周期取消 |
| 文件頁數(shù)： | 21/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | IDT71V3579YSA75PFGI |
6.42
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
21
Ordering Information
100-pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
S
Power
X
Speed
XX
Package
PF**
BG
BQ
IDT
XXX
75*
80
85
Access Time in Tenths of Nanoseconds
5280 drw 12
Device
Type
71V3577
71V3579
128K x 36 Flow-Through Burst Synchronous SRAM with 3.3V I/O
256K x 18 Flow-Through Burst Synchronous SRAM with 3.3V I/O
,
X
Process/
Temperature
Range
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Blank
I
*Commercial temperature range only.
** JTAG (SA version) is not available with 100 pin TQFP package
X
S
SA
Blank
Y
Standard Power
Standard Power with JTAG Interface
First Generation or current stepping
Second Generation die step
X
Restricted hazardous substance device
G
Package Information
100-Pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Information available on the IDT website
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V416S10BEG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10BEGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10PHG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10PHGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416L | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT71V416L10BE8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA |
| IDT71V416L10BEG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V416L10BEG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416L10BEGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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