- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377347 > IDT71V3579YSA75PFGI (Integrated Device Technology, Inc.) 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V3579YSA75PFGI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類(lèi)： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K的米鼠36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的流量，通過(guò)輸出脈沖計(jì)數(shù)器，單周期取消 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | IDT71V3579YSA75PFGI |
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6.42
18
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
is HIGH and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. For read cycles,
ADSP
and
ADSC
function identically and are therefore interchangable.
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
,
BWE
,
BW
x
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
OUT
OE
Av
Aw
Ax
Ay
Az
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
5280 drw 10
,
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
IN
Av
Aw
Ax
Az
Ay
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Az)
(Ay)
5280 drw 11
,
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
and
OE
are HIGH, and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. Although only
GW
writes are shown, the functionality of
BWE
and
BW
x together is the same as
GW
.
4. For write cycles,
ADSP
and
ADSC
have different limtations.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V416S10BEG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10BEGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10PHG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10PHGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416L | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V416L10BE | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán) |
| IDT71V416L10BE8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA |
| IDT71V416L10BEG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V416L10BEG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán) |
| IDT71V416L10BEGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040 |
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