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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71P71804 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | IDT71P71804 |
6.42
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
Pin Definitions continued
Symbol
Pin Function
Description
Doff
Input
DLL Turn Off. When low this input will turn off the DLL inside the device. The AC timngs with the DLL turned off will
be different fromthose listed in this data sheet. There will be an increased propagation delay fromthe incidence of
C and
C
to DQ, or K and
K
to DQ as configured. The propagation delay is not a tested parameter but will be
simlar to the propagation delay of other SRAMdevices in this speed grade.
TDO
Output
TDO pin for JTAG
TCK
Input
TCK pin for JTAG.
TDI
Input
TDI pin for JTAG. An internal resistor will pull TDI to V
DD
when the pin is unconnected.
TMS
Input
TMS pin for JTAG. An internal resistor wll pull TMS to V
DD
when the pin is unconnected.
NC
No Connect
No connects inside the package. Can be tied to any voltage level.
V
REF
Input Reference
Reference Voltage input. Static input used to set the reference level for HSTL inputs and outputs as well as AC
measurement points.
V
DD
Power Supply
Power supply inputs to the core of the device. Should be connected to a 1.8V power supply.
V
SS
Ground
Ground for the device. Should be connected to ground of the system.
V
DDQ
Power Supply
Power supply for the outputs of the device. Should be connected to a 1.5V power supply for HSTL or scaled to
the desired output voltage.
6112 tbl 02b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71604167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT71P71804S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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