參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71P71804
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
中文描述： 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2
文件頁(yè)數(shù)： 19/23頁(yè)
文件大?。?/td> 241K
代理商： IDT71P71804
6.42
19
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
J TAG DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Mn
Typ
Max
Unit
Note
I/O Power Supply
V
DDQ
1.4
-
V
DD
V
Power Supply Voltage
V
DD
1.7
1.8
1.9
V
Input High Level
V
IH
1.3
-
V
DD
+0.3
V
Input LowLevel
V
IL
-0.3
-
0.5
V
TCK Input Leakage Current
I
IL
-5
-
+5
μ
A
TMS, TDI Input Leakage Current
I
IL
-15
-
+15
μ
A
TDO Output Leakage Current
I
OL
-5
-
+5
μ
A
Output High Voltage (I
OH
= -1mA)
V
OH
V
DDQ -
0.2
-
V
DDQ
V
1
Output LowVoltage (I
OL
= 1mA)
V
OL
V
SS
-
0.2
V
1
6112 tbl 19
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High Level
V
IH
1.8
V
Input Low Level
V
IL
0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timng Reference Level
0.9
V
1
6112 tbl 20
J TAG AC Test Conditions
NOTE:
1. The output impedance of TDO is set to 50 ohms (nomnal process) and does not vary with the external resistor connected to ZQ.
NOTE:
1. For SRAMoutputs see AC test load on page 12.
J TAG Input Test Waveform
J TAG Output Test Waveform
J TAG AC Test Load
6112 drw 23
0.9 V
0.9 V
Test points
1.8 V
0 V
6112 drw 24
0.9 V
0.9 V
Test points
0.9 V
50
TDO
Z
0
= 50
6112 drw 25
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDTIDT71P71604167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71604200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71604250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71804167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71804200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71P71804S167BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT71P71804S167BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT71P71804S167BQG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT71P71804S200BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT71P71804S200BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
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