- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377328 > IDT71P71804 (Integrated Device Technology, Inc.) 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71P71804 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2 |
| 文件頁數(shù)： | 16/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | IDT71P71804 |
6.42
16
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
S c an Register Definition
Part
Instrustion Register
Bypass Register
ID Register
Boundary Scan
512K x36
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
1Mx18
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
6112 tbl 14
Identific ation Register Definitions
INSTRUCTION FIELD
ALL DEVICES
DESCRIPTION
PART NUMBER
Revision Number (31:29)
0x0
Revision Number
Device ID (28:12)
0x0294
0x0295
512Kx36 DDRII BURST OF 2
1Mx18
71P71604S
71P71804S
IDT JEDEC ID CODE (11:1)
0x033
Allows unique identification of SRAM
vendor
ID Register Presence
Indicator (0)
1
Indicates the presence of an ID register
6112 tbl 15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71604167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71604200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71604250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71804167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71804200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P71804S167BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S200BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。