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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V7519S200DR |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PQFP208 |
| 封裝： | PLASTIC, QFP-208 |
| 文件頁數(shù)： | 21/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 490K |
| 代理商： | IDT70V7519S200DR |
6.42
8
IDT70V7519S
High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 3.3V ± 150mV)
NOTES:
1. At VDD < 2.0V leakages are undefined.
2. VDDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.5 for details.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V7519S
Unit
Min.
Max.
|ILI|
Input Leakage Current(1)
VDDQ = Max., VIN = 0V to VDDQ
___
10
A
|ILO|
Output Leakage Current
(1)
CE0 = VIH or CE1 = VIL, VOUT = 0V to VDDQ
___
10
A
VOL (3.3V)
Output Low Voltage(2)
IOL = +4mA, VDDQ = Min.
___
0.4
V
VOH (3.3V)
Output High Voltage(2)
IOH = -4mA, VDDQ = Min.
2.4
___
V
VOL (2.5V)
Output Low Voltage(2)
IOL = +2mA, VDDQ = Min.
___
0.4
V
VOH (2.5V)
Output High Voltage
(2)
IOH = -2mA, VDDQ = Min.
2.0
___
V
5618 tbl 08
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. COUT also references CI/O.
Capacitance(1)
(TA = +25°C, F = 1.0MHZ) PQFP ONLY
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 3dV
8
pF
COUT
(3)
Output Capacitance
VOUT = 3dV
10.5
pF
5618 tbl 07
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PDF描述 |
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