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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V7519S200DR |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PQFP208 |
| 封裝： | PLASTIC, QFP-208 |
| 文件頁數(shù)： | 15/22頁 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | IDT70V7519S200DR |
6.42
22
IDT70V7519S
High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Ordering Information
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
BF
DR
BC
208-pin fpBGA (BF-208)
208-pin PQFP (DR-208)
256-pin BGA (BC-256)
200
166
133
XXXXX
Device
Type
IDT
Speed in Megahertz
5618 drw 22
S
Standard Power
70V7519 9Mbit (256K x 36-Bit) Synchronous Bank-Switchable Dual-Port RAM
Commercial Only(1)
Commercial & Industrial(2)
Commercial & Industrial
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
CORPORATE HEADQUARTERS
for SALES:
for Tech Support:
2975 Stender Way
800-345-7015 or 408-727-5166
831-754-4613
Santa Clara, CA 95054
fax: 408-492-8674
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
Datasheet Document History:
1/5/00:
InitialPublicOffering
10/19/01:
Page 2, 3 & 4 Added date revision for pin configurations
Page 9
Changed ISB3values for commercial and industrial DC Electrical Characteristics
Page 11 Changed tOE value in AC Electrical Characteristics, please refer to Errata #SMEN-01-05
Page 20 Increased tJCD from 20ns to 25ns, please refer to Errata #SMEN-01-04
Page 1 & 22 Replaced TM logo with logo
01/11/02:
Page 2
Corrected BF-208 pinout configuration fpBGA A15
03/18/02:
Page 1, 9, 11 & 22 Added 200MHz specification
Page 9 Tightened power numbers in DC Electrical Characteristics
Page 14 Changed waveforms to show INVALID operation from opposite ports if tCO
< minimumspecified
Page 1 - 22 Removed "Preliminary" status
12/4/02:
Page 9, 11 & 22 Designated 200Mhz speed grade available in BC-256 package only.
NOTES:
1. Available in BC-256 package only.
2. Industrial Temperature at 166Mhz not available in BF-208 package.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7519S200DRI | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V9199L7PF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9199L7PFI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9199L9PF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9369L7PF | Small Signal Diode; Package: LL-34; No of Pins: 2; Container: Tape & Reel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V7599S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7599S133BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7599S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7599S133BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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