參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70T653MS10BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
中文描述： 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256
封裝： BGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 13/24頁(yè)
文件大小： 309K
代理商： IDT70T653MS10BC
13
IDT70T653M Preliminary
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics over the Operating Temperature Range
and Supply Voltage Range for RapidWrite Mode Write Cycle
(1)
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
t
AAS
Allowable Address Skew for RapidWrite Mode
____
1
ns
t
ARF
Address Rise/Fall Time for RapidWrite Mode
1.5
____
V/ns
5679 tbl 14
NOTE:
1. Timing applies to all speed grades when utilizing the RapidWrite Mode Write Cycle.
Timing Waveform of Address Inputs for RapidWrite Mode Write Cycle
5679 drw 09
A
0
A
18
t
AAS
t
ARF
t
ARF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T653MS10BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS12BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS12BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS15BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS15BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70T653MS10BCG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T653MS12BC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T653MS12BC8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T653MS12BCGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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