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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T653MS10BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256 |
| 封裝： | BGA-256 |
| 文件頁數(shù)： | 10/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 309K |
| 代理商： | IDT70T653MS10BC |
IDT70T653M Preliminary
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of Read Cycles
(4)
t
RC
10
Timing of Power-Up Power-Down
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE
,
CE
or
BE
n.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
or
BE
n.
3. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or
t
ABE
.
4.
SEM
= V
IH
.
5.
CE
= L occurs when
CE
0
= V
IL
and CE
1
= V
IH
.
CE
= H when
CE
0
= V
IH
and/or CE
1
= V
IL
.
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
(3)
OE
BE
n
5679 drw 06
(3)
t
AOE
(3)
t
ABE
(3)
(1)
t
LZ
/t
LZOB
t
OH
(2)
t
HZ
DATA
OUT
VALID DATA
(3)
(5)
.
CE
5679 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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