參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70T3539M
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速與3.3V 2.5V的為512k × 36 SYNCHRONOU S雙，端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口
文件頁(yè)數(shù)： 8/26頁(yè)
文件大?。?/td> 421K
代理商： IDT70T3539M
6.42
IDT70T3539M Preliminary
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(3)
(V
DD
= 2.5V ± 100mV)
NOTES:
1. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t
CYC
, using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V
DD
= 2.5V, T
A
= 25°C for Typ, and are not production tested. I
DD DC
(f=0)
= 30mA (Typ).
5.
CE
X
= V
IL
means
CE
0X
= V
IL
and CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
means
CE
0X
= V
IH
or CE
1X
= V
IL
CE
X
< 0.2V means
CE
0X
< 0.2V and CE
1X
> V
DD
- 0.2V
CE
X
> V
DD
- 0.2V means
CE
0X
> V
DD
- 0.2V or CE
1X
- 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I
SB
1
, I
SB
2
and
I
SB
4
will all reach full standby levels
(
I
SB
3)
on the appropriate port(s) if ZZ
L
and/or ZZ
R
= V
IH
.
70T3539MS166
Com'l Only
70T3539MS133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Unit
I
DD
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled,
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
640
900
520
740
mA
IND
S
___
___
520
900
I
SB1
(6)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
350
460
280
380
mA
IND
S
___
___
280
470
I
SB2
(6)
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(1)
COM'L
S
500
650
400
500
mA
IND
S
___
___
400
620
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
DDQ
- 0.2V, V
IN
> V
DDQ
- 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COM'L
S
12
20
12
20
mA
IND
S
___
___
12
25
I
SB4
(6)
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
DDQ
- 0.2V
(5)
V
IN
> V
DDQ
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port, Outputs Disabled, f = f
MAX
(1)
COM'L
S
500
650
400
500
mA
IND
S
___
___
400
620
Izz
Sleep Mode Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
ZZ
L =
ZZ
R =
V
IH
f=f
MAX
(1)
COM'L
S
12
20
12
20
mA
IND
S
___
___
12
25
5678 tbl 09
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PDF描述
IDT70T3539MS999BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3539MS999BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3539MS133BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3539MS133BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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