參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70T3339S133BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 24/28頁(yè)
文件大?。?/td> 485K
代理商： IDT70T3339S133BC
6.42
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
PRELIMINARY
24
Depth and Width Expansion
The IDT70T3339/19/99 features dual chip enables (refer to Truth
Table I) in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no
requirements for external logic. Figure 4 illustrates how to control the
various chip enables in order to expand two devices in depth.
The IDT70T3339/19/99 can also be used in applications requiring
expanded width, as indicated in Figure 4. Through combining the control
signals, the devices can be grouped as necessary to accommodate
applications needing 36-bits or wider.
NOTE:
1. A
19
is for IDT70T3339, A
18
is for IDT70T3319, A
17
is for IDT70T3399.
5652 drw 22
IDT70T3339/19/99
CE
0
CE
1
CE
1
CE
0
CE
0
CE
1
CE
1
CE
0
V
DD
V
DD
IDT70T3339/19/99
IDT70T3339/19/99
IDT70T3339/19/99
Control Inputs
Control Inputs
Control Inputs
Control Inputs
UB
,
LB
,
R/
W
,
OE
,
CLK,
ADS
,
REPEAT
,
CNTEN
A
19
/A
18/
A
17(1)
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70T3339/19/99
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T3339S166BC JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT70T3319S133BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3339S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3319S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3539M HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70T3339S133BC8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3339S133BCI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3339S133BCI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3339S133BF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3339S133BF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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