參數(shù)資料
型號： IDT70T3339S133BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁數(shù)： 2/28頁
文件大?。?/td> 485K
代理商： IDT70T3339S133BC
6.42
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
PRELIMINARY
Description:
The IDT70T3339/19/99 is a high-speed 512/256/128k x 18 bit
synchronous Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port
memory cells to allow simultaneous access of any address fromboth ports.
Registers on control, data, and address inputs provide mnimal setup and
hold times. The timng latitude provided by this approach allows systems
to be designed with very short cycle times. With an input data register, the
IDT70T3339/19/99 has been optimzed for applications having unidirec-
tional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature,
controlled by
CE
0
and CE
1,
permts the on-chip circuitry of each port to
enter a very low standby power mode.
The IDT70T3339/19/99 can support an operating voltage of either
3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power
supply for the core of the device (V
DD
) is at 2.5V.
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PDF描述
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IDT70T3339S133BCI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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