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參數(shù)資料
| 型號： | ICY7C1362C-166BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 28/31頁 |
| 文件大小： | 432K |
| 代理商： | ICY7C1362C-166BGI |
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PRELIMINARY
CY7C1360C
CY7C1362C
Document #: 38-05540 Rev. *C
Page 28 of 31
Package Diagrams
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
0.30±0.08
0.65
TYP.
2
2
1.40±0.05
12°±1°
(8X)
1.60 MAX.
0.05 MIN.
0.15 MAX.
0.60±0.15
0° MIN.
0.25
0°-7°
STAND-OFF
R 0.08 MIN.
0.20 MAX.
0.20 MAX.
R 0.08 MIN.
0.20 MAX.
14.00±0.10
16.00±0.20
0
SEE DETAIL
A
DETAIL
A
1
100
30
31
50
51
80
81
GAUGE PLANE
1.00 REF.
0.20 MIN.
SEATING PLANE
100-Pin Thin Plastic Quad Flatpack (14 x 20 x 1.4 mm) A101
51-85050-*A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ICY7C1362C-166BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1362C-166BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ID100 | MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES |
| ID100 | SCRs .5 Amp, Planar |
| IDT101494S7C | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ICY7C1362C-166BGXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1362C-166BZI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1367B-166BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
| ICY7C1373C-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| ICY7C1373D-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
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