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參數(shù)資料
| 型號： | ICY7C1362C-166BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 23/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 432K |
| 代理商： | ICY7C1362C-166BGI |
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PRELIMINARY
CY7C1360C
CY7C1362C
Document #: 38-05540 Rev. *C
Page 23 of 31
Write Cycle Timing
[23, 24]
Note:
24.Full width Write can be initiated by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW and BW
X
LOW.
Switching Waveforms
(continued)
tCYC
tCL
CLK
ADSP
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
OE
ADSC
CE
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
BWE,
BW
X
Data Out (Q)
High-Z
ADV
BURST READ
BURST WRITE
D(A2)
D(A2 + 1)
D(A2 + 1)
D(A1)
D(A3)
D(A3 + 1)
D(A3 + 2)
D(A2 + 3)
A2
A3
Data In (D)
Extended BURST WRITE
D(A2 + 2)
Single WRITE
tADH
tADS
tADH
tADS
t
OEHZ
tADVH
tADVS
tWEH
tWES
tDH
tDS
GW
tWEH
tWES
Byte write signals are
ignored for first cycle when
ADSP initiates burst
ADSC extends burst
ADV suspends burst
DON’T CARE
UNDEFINED
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ICY7C1362C-166BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1362C-166BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ID100 | MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES |
| ID100 | SCRs .5 Amp, Planar |
| IDT101494S7C | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ICY7C1362C-166BGXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1362C-166BZI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1367B-166BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
| ICY7C1373C-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| ICY7C1373D-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
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