- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣IC網(wǎng) > PDF目錄379206 > IBMN625804GT3B (IBM Microeletronics) 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBMN625804GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256MB雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/79頁(yè) |
| 文件大小： | 1328K |
| 代理商： | IBMN625804GT3B |
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IBMN625404GT3B
IBMN625804GT3B
Preliminary
256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
29L0011.E36997B
1/01
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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Random Read Accesses: CAS Latencies (Burst Length = 2, 4 or 8)
DOa-n
CAS Latency = 2
Read
Read
Read
NOP
NOP
Read
DOa-b
DOa-n'
DOa-x
DOa-x'
DOa-b’
DOa-g
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DO a-n, etc. = data out from bank a, column n etc.
n' etc. = odd or even complement of n, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Reads are to active rows in any banks.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2
DOa-n
CAS Latency = 2.5
Read
Read
Read
NOP
NOP
Read
DOa-b
DOa-n'
DOa-x
DOa-x'
DOa-b’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2.5
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