參數(shù)資料
型號: HYM71V16755HCT8M-P
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168
封裝: DIMM-168
文件頁數(shù): 3/14頁
文件大小: 236K
代理商: HYM71V16755HCT8M-P
PC100 SDRAM Unbuffered DIMM
Rev. 0.4/Dec. 01
12
HYM71V16755HCT8M Series
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-8
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
tRC
68
-
70
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
68
-
70
-
70
-
ns
RAS to CAS Delay
tRCD
20
-
20
-
20
-
ns
RAS Active Time
tRAS
48
100K
50
100K
50
100K
ns
RAS Precharge Time
tRP
20
-
20
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
tRRD
16
-
20
-
20
-
ns
CAS to CAS Delay
tCCD
1
-
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
tWTL
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge Command
tDPL
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-In to Active Command
tDAL
4
-
3
-
3
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
tMRD
2
-
2
-
2
-
CLK
Precharge to Data
Output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
tPDE
1
-
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
tSRE
1
-
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYM71V8M635HCLT6-H 8M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144
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HYM76V16C755HGT4-S 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168
HYMD264G726A4-H 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
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參數(shù)描述
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HYM71V16C735AT8-H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
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