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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256MBit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 片256Mbit移動- RAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 51/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF |
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Data Sheet
51
V1.1, 2003-04-16
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Timing Diagrams
Precharge termination of a Burst
Figure 35
CAS Latency = 2
Command
Bank A
Activate
T14
BS
Write Data is masked.
of a Write Burst.
Precharge Termination
Addr.
DQ
DQM
AP
Command
Bank A
Activate
Hi Z
Bank A
Write
Command
DAx0
DAx1
RAx
RAx
CAx
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge
DAx3
DAx2
Activate
RAy
RP
t
RAy
Ay0
Command
Bank A
Read
Bank A
Precharge
Command
Ay1 Ay2
CAy
RP
t
T3
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
CK2
t
T1
T2
T4
T5
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
Precharge Termination
of a Read Burst.
SPT03933
Bank A
Command
Precharge
Command
Bank A
Read
Az0
Az1
RAz
CAz
RAz
Az2
RP
t
Burst Length = 8 or Full Page, CAS Latency = 2
T20
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF-75 | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYM321000GS-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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