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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYE25L256160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256MBit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 片256Mbit移動(dòng)- RAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF |
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HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Timing Diagrams
Data Sheet
32
V1.1, 2003-04-16
AC Parameters
Figure 16
AC Parameters for a Write Timing
Auto Precharge
Command
Bank B
Write with
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Addr.
AP
DQM
DQ
BS
Hi-Z
RCD
t
Ax2
Ax1
Ax0
Ax3
RC
t
RAx
t
AS
t
AH
RBx
CAx
Command
Bank A
SPT03910_2
Bx1
Bx0
CBx
T8
Precharge
Bank A
Begin Auto
CLK
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CK2
t
CS
t
CH
CKS
t
CH
t
t
CL
t
T3
T0
T2
T1
T4
T5
T7
T6
T18
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T13
T9
T10
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T19
T20
T22
T21
RBx
RAx
Activate
W rite
Command
Bank A
DS
t
t
DH
RAy
Bank B
Precharge
Begin Auto
RBy
Activate
Command
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
t
WR
t
CKH
RAz
RAz
RBy
RAy
RAy
Bx2
Bx3
t
WR
RP
t
Ay2
Ay1
Ay0
Ay3
RP
t
RRD
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF-75 | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYM321000GS-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱(chēng):HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱(chēng):HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱(chēng):HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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