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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256MBit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 片256Mbit移動- RAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 35/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF |
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Data Sheet
35
V1.1, 2003-04-16
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Timing Diagrams
Figure 19
Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
Inputs must be
stable for
200
μ
s
DQM
AP
DQ
Addr.
BS
RP
Command
All Banks
Precharge
Hi-Z
~
t
1st Auto Refresh
Command
~
~
~
~
~
~
~
SPT03913
Mode Register
Set Command
Address Key
8th Auto Refresh
Command
~
t
RC
~
~
~
~
~
~
~
Command
Any
Minimum of 8 Refresh Cycles are required
T8
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
required
~
~
~
~
~
~
~
T3
is
~
~
Level
High
T0
T2
T1
T5
T4
T7
T6
T18
2 Clock min.
~
~
~
~
~
~
~
T13
~
~
T10
T9
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T20
T19
T22
T21
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF-75 | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYM321000GS-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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