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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S64160AT-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 10.16 X 22.22 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | HYB39S64160AT-6 |
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INFINEON Technologies
13
HYB39S6416A/BT-5.5/-6/-7
64MBit Synchronous DRAM
AC Characteristics 1)2)
T
A = 0 to 70 °C; VSS = 0 V; VCC = 3.3 V ± 0.3 V, tT = 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-5.5
-6
-7
minmax
Clock and Clock Enable
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
5.5
7.5
–
6
8
–
7
9
–
ns
Clock Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
–
183
133
–
166
125
–
143
115
MHz
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
4.5
5.4
–
5
6
–
5
6
ns
2,
3
Clock High Pulse Width
t
CH
2
–
2
–
2.5
–
ns
Clock Low Pulse Width
t
CL
2
–
2
–
2.5
–
ns
Transition time
t
T
0.5
10
0.5
10
0.5
10
ns
Setup and Hold Times
Input Setup Time
t
IS
1.5
–2–2–
ns
4
Input Hold Time
t
IH
1
–1–1–
ns
4
CKE Setup Time
t
CKS
1.5
–2–2–
ns
4
CKE Hold Time
t
CKH
1
–1–1–
ns
4
Mode Register Set-up time
t
RSC
11
–12–24
–
ns
Power Down Mode Entry Time
t
SB
0
5.5
0607
ns
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
15
–16–18
–
ns
5
Row Precharge Time
t
RP
15
–16–18
–
ns
5
Row Active Time
t
RAS
33
–
36
100k
42
100k
ns
5
Row Cycle Time
t
RC
49.5
54
–
63
–
ns
5
Activate(a) to Activate(b)
Command period
t
RRD
11
–12–14
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39T256160TT-5 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB39T256160TT-6 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB39T256160TT-7 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB39T256160TT-75 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB39T256160TT-7F | MEMORY SPECTRUM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB39S64160AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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| HYB39S64160AT-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S64160ATL-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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