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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3164165TL-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 391K |
| 代理商： | HYB3164165TL-60 |
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Semiconductor Group
57
HYB3164(5)165T(L)-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
Self Refresh (Sleep Mode)
t
RPS
t
RASS
t
RP
t
CRP
t
CP
t
RPC
t
WRH
t
WRP
t
CSR
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
ODD
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
HI-Z
“H” or “L”
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
UCAS
LCAS
VOH
VOL
t
CHS
WL13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164165T-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164165T | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP 0 to 70 |
| HYB3164165T-50 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164400J | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3164400AJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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