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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 3/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB3117805BSJ-60 |
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
3
1998-10-01
Block Diagram
SPB03456
&
No.2 Clock
Generator
Address
Buffers (10)
Column
Controller
Refresh
Refresh
Counter (11)
Buffers (11)
Row
Address
Generator
No.1 Clock
11
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
Row
Decoder
RAS
2048 x 1024 x 8
Memory Array
2048
1024
x 8
Sense Amplifier
I/O Gating
10
Column
Decoder
Buffer
Data IN
Data OUT
Buffer
I/O1
8
8
OE
Voltage Down
Generator
V
CC
(internal)
V
CC
11
4
CAS
WE
I/O2
I/O8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 314405BJL-50 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HYB3118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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