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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 16/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB3117805BSJ-60 |
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
16
1998-10-01
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify-Write Cycle
SPT03031
"H" or "L"
IL
Data
RAC
(Outputs)
I/O
V
OH
OL
V
OUT
Data
OEZ
t
I/O
(Inputs)
OE
CLZ
t
V
IL
V
IH
DZC
t
t
CAC
t
DS
DZO
t
ODD
t
V
IL
IH
V
t
AWD
t
AA
t
OEA
t
t
OEH
AA
DS
OEZ
AA
OUT
Data
t
OUT
Data
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t
ODD
IN
DH
t
t
CPA
t
DZC
t
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IN
Data
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CAC
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t
CPA
OEH
CLZ
t
WP
t
t
OEA
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t
CLZ
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WP
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OEA
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AWD
t
IN
Data
DS
t
DH
t
ODD
t
WP
t
OEH
t
Address
WE
CAS
V
RCS
V
V
IH
t
Row
V
IL
IH
t
CWD
t
CWL
RWD
t
Column
IL
V
ASR
t
t
RAH
ASC
t
RAD
t
IH
V
RCD
t
t
CAH
CAS
t
RAS
IL
V
V
IH
t
CSH
CWD
CWL
t
CWD
t
Column
CPWD
t
t
t
CPWD
Column
PRWC
ASC
t
CAH
t
t
CP
CAS
t
t
ASC
t
t
CAH
CWL
t
RWL
t
Row
CRP
t
RAL
RSH
CAS
t
t
t
ASR
t
RAS
t
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
| HYB314405BJ-70 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB 314405BJ | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 314405BJL-50 | 1M × 4-Bit Dynamic RAM(Fast Page Mode)(1M x 4位 動態(tài) RAM(快速頁面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HYB3118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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